Transistor IGBT de Alta Potência Marca SEP WW20N65CX1H3 20A 650V TO-247

Este transistor IGBT de alto desempenho é projetado para aplicações exigentes que requerem robustas capacidades de manuseio de potência.. Possui uma corrente nominal de 20A e uma tensão nominal de 650V, tornando-o ideal para uso em vários sistemas industriais e eletrônicos.. Alojado num invólucro TO-247, oferece excelente desempenho térmico e gestão eficiente de energia.. Adequado para aplicações como acionamentos de motores, inversores de potência e sistemas de aquecimento por indução, garante um desempenho de comutação confiável e eficiente em condições de alta potência. Tipo de Instalação: Através do furo Áreas de aplicação: Eletricista Eletricista País de fabricação: China Instruções incluídas: Não