MOSFET Canal N 2N7002, SOT-23-3, Gate de Nível Lógico

Este MOSFET de Canal N apresenta um invólucro compacto SOT-23-3, ideal para circuitos com espaço limitado.. Inclui um gate de nível lógico compatível com várias interfaces de microcontroladores, tornando-o adequado para aplicações de baixa tensão.. Com suas capacidades de chaveamento de alta velocidade e baixa resistência no estado ligado, este MOSFET é perfeito para aprimorar o desempenho em gerenciamento de energia, chaveamento de carga e tarefas de amplificação em dispositivos eletrônicos.. Seu design robusto garante operação confiável em uma ampla gama de condições ambientais. Corrente máxima de drenagem contínua: 200 mA Tensão Máxima Dreno-Fonte: 60 V Tensão de Limiar do Gate: 1 V a 3 V Pacote/Caixa: SOT-23-3 Tipo de montagem: Montagem em superfície Polaridade transístor: Canal N País de fabricação: China Instruções incluídas: Não